Тонкопленочные солнечные элементы

  

Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы: Пер. с англ. с сокращениями.— М.: Мир, 1986. — 435 с.

Монография индийских специалистов, посвященная тонким пленкам на основе полупроводниковых материалов, используемым в качестве солнечных элементов. Изложены методы осаждения и физические свойства многослойных пленок различных полупроводников, диэлектриков и металлов. Особое внимание уделено пленкам на основе сульфида меди и кремния. Рассмотрены новые виды солнечных элементов и новые направления в разработке высокоэффективных элементов.

Для специалистов в области солнечной энергетики, полупроводниковых приборов и тонкопленочной электроники, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.



Оглавление

ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА ПЕРЕВОДА
Глава 1. АНАЛИЗ СВОЙСТВ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПЕРЕХОДОВ И ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
1.2 Анализ свойств переходов
1.2.1 Анализ вольт-амперных характеристик
1.2.2 Емкостные измерения
1.2.3 Емкостная спектроскопия глубоких уровней
1.3 Исследование характеристик материалов
1.3.1.1 Исследования кристаллической структуры
1.3.1.2 Исследование микроструктуры
1.3.2 Анализ состава материалов
1.3.3 Оптические характеристики
1.3.4 Электрические и оптоэлектронные характеристики
Глава 2. МЕТОДЫ ОСАЖДЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК
2.2 Физическое осаждение из паровой фазы
2.2.1.2 Частицы пара
2.2.1.3 Реактивное испарение
2.2.1.4 Испарители
2.2.1.5 Вакуумное оборудование
2.2.2 Эпитаксиальное осаждение
2.2.2.1 Эпитаксиальное осаждение методом «горячих стенок»
2.2.2.2 Молекулярно-лучевая эпитаксия
2.2.2.3 Графоэпитаксия
2.2.3 Методы ионного распыления
2.2.3.1 Ионное распыление в тлеющем разряде
2.2.3.2 Магнетронное ионное распыление
2.2.3.3 Высокочастотное ионное распыление
2.2.3.4 Ионно-лучевое распыление
2.2.3.5 Ионное осаждение
2.2.3.6 Реактивное ионное распыление
2.3 Методы химического осаждения
2.3.1.2 Кинетика роста пленок
2.3.1.3 Химические аспекты
2.3.1.4 Характерные особенности процесса пульверизации с последующим пиролизом
2.3.1.5 Получение соединений, содержащих легирующие примеси, и сплавов
2.3.1.6 Свойства пленок, получаемых методом пульверизации с последующим пиролизом
2.3.2 Осаждение пленок из раствора
2.3.2.2 Характерные особенности процесса осаждения пленок из раствора
2.3.2.3 Легирование
2.3.2.4 Пленки многокомпонентных соединений
2.3.2.5 Оксидные пленки
2.3.2.6 Основные свойства пленок, получаемых методом осаждения из раствора
2.3.3 Получение пленок методом трафаретной печати
2.3.4. Химическое осаждение из паровой фазы
2.3.5 Реакция замещения
2.3.6 Электролитическое осаждение
2.3.7 Анодирование
2.3.8 Электрофорез
2.4 Методы осаждения из жидкой фазы
2.4.1 Эпитаксия из жидкой фазы
2.4.2 Метод вытягивания лент из расплава
2.5 Другие методы осаждения
Глава 3. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК, ПРИМЕНЯЕМЫХ В СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ
3.2 Полупроводниковые пленки
3.2.2 Селенид кадмия (CdSe)
3.2.3 Теллурид кадмия (CdTe)
3.2.4 Фосфид индия (InP)
3.2.5 Фосфид цинка (Zn3P2)
3.2.6 Арсенид галлия (GaAs)
3.2.7 Сульфид кадмия (CdS)
3.2.8 Селенид меди (Cu2Se)
3.2.9 Сульфид меди (Cu2S)
3.2.10 Селенид меди и индия (CuInSe2)
3.3 Прозрачные проводящие оксиды
3.3.1 Оксид кадмия (CdO)
3.3.2 Оксид олова (SnO2)
3.3.3 Оксид индия (In2O3)
3.3.4 Станнат кадмия (Cd2Sn04)
3.3.5 Оксид цинка (ZnO)
3.4 Кинетические явления в металлических пленках
3.5 Диэлектрические пленки
Глава 4. СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ОСНОВЕ СУЛЬФИДА МЕДИ
4.2 Методы изготовления
4.2.2 Элементы, получаемые вакуумным испарением
4.2.3 Элементы, получаемые методом пульверизации с последующим пиролизом
4.3 Физические модели
4.4 Фотоэлектрические характеристики
4.5 Влияние различных способов обработки и свойств используемых материалов на характеристики элементов
4.6. Энергетическая зонная диаграмма и механизмы потерь
4.7. Выводы
Глава 5. ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ КРЕМНИЕВЫЕ СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
5.2. Современное состояние разработок массивных кремниевых солнечных элементов
5.3. Технология изготовления
5.4. Эффективность фотоэлектрического преобразования солнечного излучения
5.5. Направления дальнейших исследований
Глава 6. СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ОСНОВЕ АМОРФНОГО КРЕМНИЯ
6.2. Кинетические явления в аморфных материалах
6.3. Осаждение гидрогенизированного аморфного кремния
6.4 Свойства пленок гидрогенизированного аморфного кремния
6.5 Солнечные элементы на основе гидрогенизированного аморфного кремния
6.6 Новые разработки
6.7 Направления дальнейших исследований
Глава 7. НОВЫЕ ТИПЫ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
7.2. Арсенид галлия
7.3 Теллурид кадмия (CdTe)
7.5 Фосфид цинка (Zn3P2)
7.6 Фосфид индия (InP)
7.7 Селенид меди и индия (CuInSe2)
7.8 Оксид меди (Cu2O)
7.9 Органические полупроводники
7.10 Направления дальнейших исследований
Глава 8. НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ В РАЗРАБОТКЕ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
8.2. Эффекты, вызываемые высоким уровнем интенсивности излучения
8.3 Новые конструкции обычных солнечных элементов
8.4 Каскадные солнечные элементы со сверхвысоким КПД