Главная > Разное > Тонкопленочные солнечные элементы
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

2.2.3.2 Магнетронное ионное распыление

Система магнетронного ионного распыления представляет собой устройство, в котором магнитное поле приложено перпендикулярно электрическому. В системе с плоским катодом магнитное поле, направленное параллельно его плоскости, препятствует выходу электронов из прикатодной области, что повышает эффективность ионизации газа и предотвращает бомбардировку осаждаемой пленки электронами. Постоянные магниты размещают за катодом различными способами, но таким образом, чтобы поверхность катода имела по крайней мере одну область, вблизи которой силовые линии магнитного поля были бы направлены параллельно поверхности. Плазма разряда существует только вблизи катода, внутри тороидальной магнитной ловушки, создаваемой магнитным полем, сосредоточенным в узком кольце. Возможность получения поля такой формы и соответствующих траекторий электронов зависит от геометрических параметров и схемы расположения магнитов.

Возмущения в плазме, вызываемые дрейфом электронов в направлении, перпендикулярном как вектору электрического» поля так и вектору магнитной индукции В, можно устранить при использовании цилиндрического катода, когда дрейфовые токи оказываются замкнутыми. Этот принцип положен в основу цилиндрических магнетронных систем. В них применяют магнитные зеркала, отражающие электроны, или создают неоднородное магнитное поле. В соответствии с этим возможны самые разнообразные конфигурации цилиндрических магнетронных систем [4].

Магнетронцое ионное распыление позволяет с высокой эффективностью (достигающей 60%) использовать подводимую к катоду мощность для генерации токов высокой плотности

(примерно до при относительно низких напряжениях и обеспечивает скорости осаждения пленок, которые по меньшей мере на порядок величины выше, чем в немагнетронных системах. При удельной мощности около для пленок меди достигнута скорость осаждения Высокая скорость осаждения и отсутствие бомбардировки пленки плазмой и электронами дают основание рассматривать магнетронное ионное распыление как перспективный низкотемпературный метод осаждения пленок большой площади. Недавно продемонстрирована возможность применения этого метода для осаждения ряда материалов для солнечных элементов, в том числе оксида олова (обозначаемого иногда [13], смеси оксидов индия и олова (распространенное обозначение [14], сульфида кадмия [15] и сульфида меди [15].

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление