Главная > Разное > Тонкопленочные солнечные элементы
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

2.2.3.3 Высокочастотное ионное распыление

Ионное распыление можно проводить при низком давлении газа , усилив его ионизацию при возбуждении безэлектродного разряда внешним высокочастотным электромагнитным полем. Если материалом катода служит диэлектрик, то ионное распыление на постоянном токе неосуществимо вследствие накопления поверхностного положительного заряда Однако при использовании переменного напряжения высокой частоты заряд на поверхности диэлектрика может периодически нейтрализоваться электронами плазмы, которые имеют значительно более высокую подвижность, чем положительные ионы. Наличие или отсутствие на поверхности катода положительного заряда, влияющего на процесс распыления, зависит от амплитуды и частоты переменного напряжения, а также от конфигурации катода. Обычно катод соединяют через согласующую схему с источником напряжения частотой (разрешенной для промышленного применения Федеральной комиссией связи США) и мощностью 1...2 кВт при амплитуде напряжения около 1 кВ. Высокочастотное распыление может проводиться в любой системе для ионного распыления в тлеющем разряде или магнетронного распыления. Метод высокочастотного ионного распыления незаменим для осаждения тонких полупроводниковых и диэлектрических пленок.

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление