Главная > Разное > Тонкопленочные солнечные элементы
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

2.2.3.5 Ионное осаждение

Ионным осаждением называют метод, основанный на термическом испарении вещества на подложку (катод) с ее одновременной бомбардировкой положительными ионами (например,

получаемыми в тлеющем разряде или с помощью ионного источника. Бомбардировка осаждаемой пленки приводит к ее уплотнению и повышению адгезии. Недостатками метода являются ионное травление растущей пленки и захват пленкой быстрых ионов газа. Более совершенный и более важный вариант метода ионного осаждения включает ионизацию паров с помощью ускоренных электронов, получаемых из термоэмиссионного источника, и осаждение на подложку ионов, которые при необходимости могут быть ускорены.

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление