Главная > Разное > Тонкопленочные солнечные элементы
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

1.3.1.1 Исследования кристаллической структуры

Методы рентгенографии [33—37] относятся к наиболее точным методам исследования кристаллической структуры твердых тел, не требующим, как правило, тщательной подготовки образца, и, что особенно важно, являются неразрушающими. Тонкие поверхностные пленки толщиной до 100 нм могут изучаться с применением электронографии [38—40], однако процесс подготовки образца оказывается довольно сложным, так как пленку необходимо отделить от подложки и укрепить на сетчатом держателе электронного микроскопа. Для исследования более толстых пленок можно использовать дифракцию электронов высоких энергий. Анализ дифракционных картин, получаемых этими методами, и их сравнение со стандартными данными ASTM (Американского общества по испытанию материалов) позволяют выявить различные кристаллические фазы в пленке, их относительное содержание, параметры кристаллической решетки и преимущественную ориентацию. По ширине дифракционных полос можно определить средний размер зерен в пленке [33]. Относительно новый метод исследования кристаллической структуры с пространственным разрешением около 1 мкм, основанный на анализе процесса каналирования электронов [41], гребует использования растрового электронного микроскопа. Общую картину кристаллической структуры можно получить путем изменения направления падения электронного луча для фиксированной точки на поверхности образца. Просвечивающий растровый электронный микроскоп позволяет изучать области структуры размером 5. ..10 нм.

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление