Главная > Разное > Тонкопленочные солнечные элементы
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

7.8 Оксид меди (Cu2O)

Оксид меди, имеющий «прямую» запрещенную зону шириной 1,95 эВ, вполне подходит для преобразования солнечного излучения. Элементы на основе обладают невысокой эффективностью, однако интерес к исследованию этого материала обусловлен чрезвычайно низкой стоимостью процесса его получения. Соответствующим образом ориентированные пленки могут быть выращены посредством нагрева медной подложки на воздухе при температуре 1050°С. При этом на границе раздела образуется барьер Шоттки [59]. Изготовление тыльно-барьерного солнечного элемента (с барьером Шоттки) на основе завершается созданием омического контакта к пленке Для получения фронтально-барьерного элемента поверхностный слой пленки восстанавливают, в результате чего образуется переход Структура с барьером Шоттки образуется также и при нанесении на поверхность пленки слоя металла.

Олсен и Бохара [59] создавали тыльно-барьерные элементы на основе помещая на несколько минут в печь с температурой 1050°С очищенную медную подложку (для получения пленки а затем резко охлаждая оксидированную пластину с помощью дистиллированной воды. Слой образующийся в процессе закалки, удалялся посредством травления в -ном растворе Образцы промывались, и для создания омического контакта на поверхность из паровой фазы осаждались медь или никель.

Фронтально-барьерные элементы представляют собой по существу приборы со структурной металл — диэлектрик — полупроводник.

Диодный коэффициент, найденный из вольт-амперных характеристик, оказывается величиной более двух. Значения диффузионного потенциала определяемые по результатам измерений вольт-фарадных характеристик, с достаточной степенью точности совпадают с расчетными значениями для модели элемента со структурой металл — диэлектрик — полупроводник. Измерения вольт-амперных характеристик и фотоотклика показывают, что значения высоты барьера заключены в пределах У элементов со слоем толщиной коэффициент собирания носителей при длине волны равен 0,25 и 0,65 соответственно. Основываясь на результатах расчета, Олсен и Бохара [59] приходят к выводу о том, что при оптимальной толщине слоя диэлектрика и малом последовательном сопротивлении элементов их КПД может превысить 10%. В настоящее время лучшие элементы на основе при интенсивности излучения имеют

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление